BS IEC 60747-9:2019 PDF
Semiconductor devices - Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Название (английский):
BS IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices - Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
- Статус документа:
- Действующий
- Формат:
- Электронный (PDF)
- Дата публикации:
- 30 ноября 2019 г.
- ICS:
- 31.080.01
- Технический комитет:
- CENELEC
- SKU:
- BS IEC 60747-9:2019