BS IEC 63275-1:2022 PDF
Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Test method for bias temperature instability
Название (английский):
BS IEC 63275-1:2022
Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Test method for bias temperature instability
- Статус документа:
- Действующий
- Формат:
- Электронный (PDF)
- Дата публикации:
- 31 октября 2022 г.
- ICS:
- 31.080.30
- SKU:
- BS IEC 63275-1:2022