BS IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices - Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Название (английский):
BS IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices - Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
- Статус документа:
- Действующий
- Формат:
- Электронный (PDF)
- Дата публикации:
- 30 ноября 2019 г.
- ICS:
- 31.080.01
- Технический комитет:
- CENELEC
- SKU:
- BS IEC 60747-9:2019
Тип поставки:
Язык документа:
Срок поставки:1 рабочий день
Цена:50 €
Abstract
What is BS IEC 60747 ‑ 9 - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) about?
BS IEC 60747 is a series of international standards for semiconductor devices that specifies the test methods for measuring the insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) used in semiconductor devices.
BS IEC 60747 ‑ 9 is the ninth part of semiconductor devices that is useful in determining the characteristics of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
BS IEC 60747 ��...
Похожие стандарты
Упомянутые в описании и другие стандарты BS