ASTM STP36189S
Measurement of Ion Implantation Doses in Silicon by Ellipsometry and Spectral Reflectance
Название (английский):
ASTM STP36189S
Measurement of Ion Implantation Doses in Silicon by Ellipsometry and Spectral Reflectance
- Статус документа:
- D
- Формат:
- Электронный (PDF)
- SKU:
- ASTM STP36189S
Цена по запросу
Свяжитесь с нами для уточнения стоимости.
Abstract
Results of ellipsometric measurements are presented for arsenic implants in silicon at doses from 2 × 1013 to 8 × 1015 cm−2 and energies from 30 to 180 keV. For implanters which mechanically scan wafers through the ion beam, it is possi...
Похожие стандарты
Другие стандарты ASTM