IEC 63284:2022 PDF
Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
Название (английский):
IEC 63284:2022
Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
- Статус документа:
- Действующий
- Формат:
- Электронный (PDF)
- Количество страниц:
- 25
- Дата публикации:
- 21 апреля 2022 г.
- Издание:
- IEC IS 63284 edition 1 version 1
- ICS:
- 31.080.30
Тип поставки:
Язык документа:
Срок поставки:5 раб. дн. (перевод)
Цена:375 €
Описание (английский):
IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress
Abstract
Overview
Похожие стандарты
Упомянутые в описании и другие стандарты IEC